Меню
Закрыть
невские
электронные
компоненты
электронные
компоненты
Транзисторы на основе карбида кремния (SIC) G3R30MT12J
Транзисторы на основе карбида кремния (SIC) G3R30MT12J
6 240.72 руб.
Цены(цена за 1 шт)
- от 1 шт до 1 шт
- 6 240.72 руб.
- от 2 шт до 2 шт
- 6 016.31 руб.
- от 3 шт до 4 шт
- 5 838.18 руб.
- от 5 шт до 8 шт
- 5 681.51 руб.
- от 9 шт и более
- 5 646.64 руб.
В наличии:5 шт
шт
Работаем с юр.лицами по безналичному расчету.
Минимальная сумма заказа по строке 500 рублей.
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт
- Корпус
- TO-263-7
Интернет-магазин Невские электронные компоненты предлагает купить Транзисторы на основе карбида кремния (SIC) G3R30MT12J от GENESIC SEMICONDUCTOR по выгодной цене.
В каталоге НЭК представлен широкий выбор G3R30MT12J, отличающихся по функционалу и исполнению.
Обратите внимание: мы работаем только с юридическими лицами. После оформления заказа на Транзисторы на основе карбида кремния (SIC) G3R30MT12J с вами свяжутся наши менеджеры для обсуждения всех деталей.
